日本の業界の謎

資金調達行ってきますと言って、簡単にできるのであれば問題ないが、ある程度資産がない人にとっては、そんな簡単に実行することはできないのではないか。お金を借りたければ、担保がなければ貸してくれない。そのために、資金調達する人は、ブラックリストに載っているような人間では、できないということになるのである。
国立遺伝学研究所(NIG)の研究チームは、分裂酵母「Schizosaccharomyces japonicus(Sz. japonicus)」の核分裂が近縁種の「Sz. pombe」とは異なる様式であることを明らかにした。

同成果はNIGの仁木研究室、細胞建築学研究室、原核生物遺伝研究室によるもので、日本分子生物学会誌「Genes to Cells」に掲載された。

原生動物類や菌類では、核分裂の際に核膜は消失せず、核膜に包まれたまま染色体が分離、分配する。このような分裂様式は「閉鎖型分裂(Closed mitosis)」というが、多くの動植物では核膜が完全に消え去った後で、染色体が分配され、これは「開放型分裂(Open mitosis)」と呼ばれる。

研究チームは今回、Sz. japonicusは、核膜が消失しない点ではSz.pombeらと同じだが、染色体の分配の際に核が伸長し、最終的に染色体移動を司る紡錘体の伸長によって核膜が破れ、2つに分断されていることを明らかにした。

核膜が破れた際には、一過的ではあるが核質からたんぱく質などが細胞質に漏れ出ており、このように核膜が分断を受けるような核分裂の様式は、これまで知られていなかった。また、高等真核生物である、線虫の初期胚においても、核膜を形成していた膜構造体は分裂期後期まで染色体を取り巻いており、染色体の分配と共に伸長、分断することも確認したという。

研究チームは、これらの発見は閉鎖型から開放型分裂へ移行してきた過程を考える上でも興味深い現象であり、この研究成果は今後、核膜の動態を研究する上での新しいモデル系として期待できると説明している。

[マイコミジャーナル]

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エバーグリーンは、iPhone/iPadなどの静電容量式タッチパネル搭載機器に装着できるアルミ製の吸盤式ジョイスティック「DN-ALGMJYSTK」シリーズを、同社直営のWEB通販サイト「上海問屋」限定で販売開始した。直販価格は699円。

同製品は、静電容量式タッチパネル搭載機器全般に装着できるアルミ製の吸盤式ジョイスティックである。レトロレバー形状のデザインは、ゲームセンターのスティックを彷彿とさせる。本体をゲームアプリなどで表示される、十字キーなどのコントローラー部分に合わせて吸盤で貼り付けることで、物理的なコントローラーとして機能する。カラーは、グリーン、レッド、ピンク、ブルー、パープル、シルバー、ブラック、オレンジの8種を用意。

[マイコミジャーナル]

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産業技術総合研究所(産総研)は9月2日、ダイヤモンド半導体を用いた電力増幅作用を持つバイポーラトランジスタを作製したことを発表した。

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同成果は同エネルギー技術研究部門 山崎聡 主幹研究員、および同電力エネルギー基盤研究グループ 加藤宙光 研究員、小山和博 元研修員らによるもので、詳細は9月5日よりドイツで開催される「第22回ダイヤモンド欧州会議」発表される予定。

ダイヤモンドは、宝石としてのみならず半導体材料として高い特性を有しており、究極の半導体とも言われている。高電圧をかけても壊れず、また大電流を流したときに発生するジュール熱を効率的に逃がすことができるが、ダイヤモンドは一般的には電気抵抗が大きな、絶縁体に近い半導体であるため大電流を流すことができないことが、パワーデバイスとして利用する上で大きな課題となっている。

産総研は、これまでの研究でダイヤモンドに不純物を添加しても結晶構造が良好に保たれることに注目した高濃度の不純物を混入する技術の開発と、一般の電子デバイスに見られるバンド伝導ではなく、「ホッピング伝導 と呼ばれる電気伝導機構を積極的に利用することでダイヤモンドの低抵抗化を実現していた。

ダイヤモンド半導体によるパワーデバイスは、ホッピング伝導とバンド伝導を組み合わせることが重要となるが、産総研では、これまでに高濃度にホウ素を添加したp+層と高濃度にリンを添加したn+層の間に、不純物の混入を極力低くしたイントリシック層(i層)を入れたダイオードを作製しており、1万A/cm2を超す電流密度を実現することができるほか、逆方向に電圧をかけても電流が流れない良好な半導体特性を確認していた。

今回の研究で開発されたバイポーラトランジスタは、前回のダイオードよりもさらに巧みにホッピング伝導とバンド伝導を組み合わせることで実現されたもので、その模式は、高濃度不純物層であるp+層とn+層、不純物をほとんど含まないi層に加えて、リンの濃度をコントロールしたn層を使い、デバイス構造を工夫することによって作製されている。

電力増幅の測定結果は、トランジスタの入力に対応するベース電流の変化に対して、出力となるコレクタ電流の変化が10倍程度となり、電流の増幅率が10を超えることが確認できた。

今後、電流密度を増やすなど、さらに特性を向上させる必要があるが、ダイヤモンド半導体でも室温でバイポーラ動作によるトランジスタが実現できたことは、ダイヤモンドの優れた物性を活かした高性能パワーデバイス実現への第1歩となると研究チームでは説明しており、スマートグリッドなど、ダイヤモンドパワーデバイスの将来の活躍の場を明確にし、絶縁耐圧や電流密度などの優位性を確認することで、ダイヤモンドパワーデバイスの研究開発を加速し、発展させていくとしている。

[マイコミジャーナル]


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